Дисциплина изучает многослойную структуру из полупроводников с различной шириной запрещенной зоны толщиной несколько микрон. Рассматриваются материалы, у которых одинаковая кристаллическая структура, где носители заряда свободно перемещаются через границы слоев. Изучается такое понятие как гетеропереход и соответствующие приборы на основе этого явления.
- Teacher: Багила Байтимбетова